东京科学研究所在 IEEE电子元件和技术会议 ECTC 上透露了其 BBCube 3D 集成流程的进展。
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“这些新技术可以帮助满足高性能计算应用的需求，这些应用需要高内存带宽和低功耗以及降低电源噪声，”该研究所表示。
BBCube 结合使用晶圆上晶圆 （WOW） 和晶圆上芯片 （COW） 技术，将处理器堆叠在一堆超薄 DRAM 芯片上。
将处理器放在顶部有助于散热，而该研究所的面朝下的 COW 工艺最初是为了摆脱焊接互连而开发的，而是在室温下使用喷墨选择性粘合剂沉积。
用于 300mm 晶圆，实现了 10μm 的芯片间距和 10ms 的安装时间。
“在Wafer晶圆上制造了 30,000 多个不同大小的芯片，没有出现任何芯片脱落故障，”项目研究员 Norio Chujo 说。
第一篇 ECTC BBCube 改进论文涵盖了一种名为 DPAS300 的定制粘合剂，该粘合剂针对超薄晶圆的 COW 堆栈中的热稳定性进行了优化。
“通过仔细设计化学特性，[这种] 新型胶粘剂材料可用于 COW 和 WOW 工艺，”该研究所说。“它由有机无机杂化结构组成，在实验研究中] 表现出明显的粘合性和耐热性。”
第二篇论文描述了改进的配电，在 DRAM 堆栈和顶部处理器之间添加了嵌入式去耦电容器，在华夫格晶圆上实施了再分配层，并在晶圆通道和 DRAM 划线中添加了硅通孔（见图）。
“这”将数据传输所需的能量降低到传统系统的五分之一到二十分之一，同时还将电源噪声抑制到 50mV 以下，“Chujo 说。